O estágio final na fabricação de wafer de silício envolve quimicamentegravuraremover quaisquer camadas superficiais que possam ter acumulado danos ao cristal e contaminação durante o serrar, lixar e lapidar; Seguido porpolimento químico mecânico(CMP) para produzir uma superfície altamente refletiva, livre de riscos e danos em um lado do wafer.
Os wafers de silício FZ têm resistividades de até 10.000 ohm-cm. Figura 4. Configuração de crescimento de cristal de zona flutuante. Uma vez que o boule de silício foi criado, ele é cortado em comprimentos gerenciáveis e cada comprimento retificado no diâmetro desejado.
O método pode formar boules grandes o suficiente para produzir wafers de silício de até 450 mm de diâmetro. No entanto, o método tem certas limitações. Uma vez que o boule é cultivado em um quartzo (SiO2) no cadinho, alguma contaminação por oxigênio está sempre presente no silício (normalmente 1018 átomos cm-3 ou 20 ppm).
Neste processo a wafer é coberta por um liquido orgânico e viscoso (polímero semelhante a Latex), denominado de foto-resiste (photoresist). A aplicação é feita com a wafer em rotação para uma distribuição uniforme do foto-resiste (~1μm de espessura). Este é posteriormente endurecido por aquecimento.
Durante o processamento do wafer, defeitos que podem ser causados pelo processo de fatiamento estão sendo observados pelos fabricantes. Processos de lapidação e decapagem - lapidação é a remoção de uma superfície de silício rachada ou danificada após o processo de fatiamento. Por outro lado, a corrosão é a remoção de qualquer dano ao cristal.
Os wafers de 200 mm (8 polegadas) e 300 mm (12 polegadas) usam um único entalhe orientado para o eixo do cristal especificado para indicar a orientação do wafer sem indicador para o tipo de dopagem. A Figura 3 mostra a relação entre o tipo de wafer e a colocação de flats na borda do wafer.
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