Este sensor apresentava uma estrutura simples: um " strain gauge " de silício colado sobre um diafragma metálico. Apenas no fim da década de 1960, surgiram tecnologias como corrosão anisotrópica e implantação iônica que possibilitaram a fabricação de extensômetros de silício sobre diafragma de silício [ 31].
Apesar de ser todo confeccionado em SiC, o que o torna atrativo para aplicações em ambientes extremos, esses sensores são caros porque foram fabricados em lâminas ( " wafers " ) com diâmetro de 2 polegadas, enquanto a maioria dos fabricantes de dispositivos de silício já utilizavam lâminas superiores a 6 polegadas.
Esse sensor foi construído a partir de um filme fino de 3C-SiC crescido sobre um substrato SOI (Silicon-On-Insulator). A estrutura do sensor é formada de quatro piezoresistores de 3C-SiC sobre um diafragma de silício como ilustra a Figura 10 (a).
Apesar dos recentes avanços, ainda são necessários desenvolvimentos na área de sensoriamento, em duas principais frentes: (i) sensores embutidos em materiais compósitos para a detecção de tensões localizadas e de trincas estruturais e (ii) sensores para monitoramento de ambientes extremos em tempo real [ 10].
A literatura recente tem mostrado que o encapsulamento de sensores MEMS baseados em silício, para aplicações em temperaturas elevadas, é realizado de forma que o fluido transmita a pressão aos elementos sensores que estão afastados do ponto de medição.
O efeito da radiação sobre o silício é também bem conhecido, principalmente devido aos testes realizados com circuitos eletrônicos integrados. A Figura 4 mostra uma visão geral do efeito da radiação sobre materiais e dispositivos [ 13]. A interação entre a radiação e o silício resulta em ionização e danos de deslocamento atômico.
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