5. CONSIDERAÇÕES FINAIS Desde que a primeira célula solar de silício foi relatada em 1941 [Ohl,1941], com eficiência inferior a 1%, houve melhorias substanciais no desempenho da célula solar de silício, culminando no valor de 26,7%.
Uma história consolidada de desenvolvimento de células de silício mostra três fases principais na evolução da eficiência. As primeiras melhorias importantes nas eficiências ocorreram no início de 1950 com o desenvolvimento de técnicas de difusão de junção, crescimento de cristal e o refinamento do projeto de células e contatos.
Conforme observado anteriormente, as células fotovoltaicas tradicionais de silício são constituídas de semicondutores dopados positiva e negativamente, formando as conhecidas junções P-N. Essas junções, conforme ilustrado na Figura 3, são separadas por uma região de depleção que surge devido à recombinação de elétrons e lacunas.
São sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica intermediária, variando entre 10-6 e 104 (: m)-1. Nesses materiais, a banda de valência está totalmente ocupada à baixa temperatura, com os quatro elétrons formando ligações covalentes, a cada excitação eletrônica para a banda de condução surge um buraco (lacuna) na banda de valência.
Embora as medições de eficiência da célula solar historicamente dependessem bastante do laboratório, as melhorias nas abordagens de calibração e o aumento das comparações interlaboratoriais reduziram essas diferenças no início da década de 1990.
TECNOLOGIAS DE PRODUÇÃO DO SILÍCIO O silício não existe na natureza no estado elementar, mas sob a forma de silicatos e óxidos. Existem técnicas de produção de silício a partir de fontes gasosas e sólidas, as de maior destaque são Deposição Química à Vapor e Crescimento Czochralski, respectivamente.
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